12月18日下午，永利欢乐娱人城在机械楼308室举行“芯片封装全铜互连技术”学术报告会。此次报告会邀请到重庆大学材料科学与工程学院教授，博士生导师沈骏主讲，学院院长魏克湘以及部分教师参加。

       沈骏围绕芯片封装技术的发展、传统锡基焊料的物理局限、全铜互连的优点与研究事例等方面进行详细阐述。他通过对比传统锡基焊料与全铜互连的优缺点指出，全铜互连是一种全部采用纯铜、采用常用电子封装温度能实现可靠互连的艰难技术，具有高导电率、无电迁移等优点，并符合现代工业制造的要求，具有环保性能。随后，沈骏从正交实验、焊接工艺、机理分析入手，在配方、工艺和强化方面对全铜结构的影响规律及机理进行了进一步的探究。他表示，由DSC曲线、宏观形貌与微观组织、力学，电气性质和EDS曲线可分析得出：在全铜互连中，向纳米铜介质材料中添加少量酚醛树脂能获得良好的互连结构。他还表示，使用不同大小的纳米铜颗粒形成的堆积模型也能增加全铜互连的强度和密度，但对于颗粒的大小以及配比还需要开展进一步的实验与测试。

       报告会结束后，在座老师们和沈骏互动交流，大家围绕纳米铜颗粒的高温抗氧化性、碳残余量、剪切强度等几方面展开积极探讨，沈骏积极回应并一一解答了老师们的疑问。

       此次报告会使大家对于全铜互连技术有了进一步的了解和认识，提升了学院整体的学术氛围。